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            碳化硅陶瓷的三種制備方法

            點擊次數:   更新時間:2020-09-18 17:09:09   分    享:
              大家知道碳化硅陶瓷有哪三種制備方法嗎?下面就來為大家來具體介紹一下。
              一是反應碳化硅陶瓷,反應燒結碳化硅又稱為自結合SIC。將碳化硅粉和石墨粉按一定的比例混合壓成坯體塊,加熱到1650度左右,通過氣相與C反應生成。
              二是熱壓碳化硅陶瓷,雖然在2000度以上的溫度和350MPa以上的壓力可以使純SIC熱壓致密,但是通常還是采用加入添加劑的方法。熱壓添加劑有兩類:一類與碳化硅中的雜質形成液相,通過液相促進燒結;一類是與SiC形成固溶體降低晶界能促進燒結。
              三是常壓碳化硅陶瓷,常壓燒結碳化硅也命名為無壓燒結碳化硅,在燒結到2100度以上的溫度下,生成高純度、高致密的碳化硅陶瓷。
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