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            碳化硅陶瓷采用熱等靜壓燒結在性能上有何變化?

            點擊次數:   更新時間:2020-08-27 15:14:08   分    享:
              近年來,為進一步提高SiC陶瓷的力學性能,公司進行了SiC陶瓷熱等靜壓工藝的研究工作。主要以B和C為添加劑,采用熱等靜壓燒結工藝,在1900℃便獲得高密度SiC燒結體。更進一步,通過該工藝,在2000℃和138MPa壓力下,成功實現無添加劑SiC陶瓷的致密燒結。
              結果表明:當SiC粉末的粒徑小于0.6μm時,即使不引入任何添加劑,通過熱等靜壓燒結,在1950℃即可使其致密化。如選用比表面積為24m2/g的SiC超細粉,采用熱等靜壓燒結工藝,在1850℃便可獲得高致密度的無添加劑SiC陶瓷。
              另外,Al2O3是熱等靜壓燒結SiC陶瓷的有效添加劑。而C的添加對SiC陶瓷的熱等靜壓燒結致密化不起作用,過量的C甚至會抑制SiC陶瓷的燒結。
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